2SD586A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD586A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: MT-200

 Аналоги (замена) для 2SD586A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD586A даташит

 9.1. Size:69K  no
 2sd582.pdf pdf_icon

2SD586A

 9.2. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd583.pdf pdf_icon

2SD586A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD583 DESCRIPTION High Current Capability Excellent Safe Operating Area High DC current Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL

 9.3. Size:205K  inchange semiconductor
 2sd581.pdf pdf_icon

2SD586A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD581 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for 40 60W audio amplifier power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd582.pdf pdf_icon

2SD586A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD582 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 7A CE(sat) C Complement to Type 2SB612 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for 80 100W audio amplifier power output applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD580, 2SD581, 2SD581A, 2SD582, 2SD582A, 2SD583, 2SD585, 2SD586, 2SA1837, 2SD587, 2SD587A, 2SD588, 2SD588A, 2SD589, 2SD59, 2SD590, 2SD591