Справочник транзисторов. 2SD600D

 

Биполярный транзистор 2SD600D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD600D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SD600D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD600D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:115K  sanyo
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600D

Ordering number:346GPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB631,631K/2SD600,600K100V/120V, 1A Low-FrequencyPower Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, Highunit:mmcurrent 1A.2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity.[2SB631, 631K/2SD600, 600K]1 : Emitter2 : Collector3 : Base( ) : 2SB631, 631K

 8.2. Size:126K  sanyo
 2sd600.pdf pdf_icon

2SD600D

Ordering number:346GPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SB631,631K/2SD600,600K100V/120V, 1A Low-FrequencyPower Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage VCEO 100/120V, Highunit:mmcurrent 1A.2009B Low saturation voltage, excellent hFE linearity.[2SB631, 631K/2SD600, 600K]1 : Emitter2 : Collector3 : Base( ) : 2SB631, 631K

 8.3. Size:405K  blue-rocket-elect
 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600D

2SD600K(BR3DA600KQF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F NPN Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features V , 2SB631K(BR3CA631KQF) CEOHigh VCEO ,high current, low VCE(sat) and good linearity of hFE; complementary pair with 2SB63

 8.4. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd600 2sd600k.pdf pdf_icon

2SD600D

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD600 2SD600K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB631/631K High breakdown voltage VCEO100/120V High current 1A Low saturation voltage APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mount

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD596V1 , 2SD596V2 , 2SD596V3 , 2SD597 , 2SD598 , 2SD599 , 2SD60 , 2SD600 , TIP2955 , 2SD600E , 2SD600F , 2SD600K , 2SD600KD , 2SD600KE , 2SD600KF , 2SD601 , 2SD601A .

History: DTC143ZM3T5G | SC239 | DMC50201 | BD810 | MJD45H11T4 | SD407 | FMMT2484

 

 
Back to Top

 


 
.