2SD611A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD611A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD611A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD611A даташит

 9.1. Size:238K  sanyo
 2sd612.pdf pdf_icon

2SD611A

 9.2. Size:303K  sanyo
 2sd612k.pdf pdf_icon

2SD611A

 9.3. Size:40K  sanyo
 2sd613.pdf pdf_icon

2SD611A

Ordering number 513H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB633/2SD613 85V/6A, AF 25 to 35W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO85V, high current 6A. unit mm AF25 to 35W output. 2010C [2SB633/2SD613] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB633 EIAJ SC-46 2 Collector 3 Emitter Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta =

 9.4. Size:27K  sanyo
 2sb633p 2sd613p.pdf pdf_icon

2SD611A

Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD605, 2SD605D, 2SD606, 2SD608, 2SD608A, 2SD61, 2SD610, 2SD611, B647, 2SD612, 2SD612K, 2SD613, 2SD613C, 2SD613D, 2SD613E, 2SD613F, 2SD614