2SD620. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD620

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD620

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD620 даташит

 9.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD620

 9.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD620

 9.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD620

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO V Coll

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD620

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min.) CEO(sus) High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE (sat) C Complement to Type 2SB638 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD613E, 2SD613F, 2SD614, 2SD615, 2SD616, 2SD617, 2SD619, 2SD62, C1815, 2SD621, 2SD622, 2SD624, 2SD625, 2SD626, 2SD627, 2SD628, 2SD628H