Справочник транзисторов. 2SD622

 

Биполярный транзистор 2SD622 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD622
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD622 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD622

 9.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD622

 9.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD622

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Coll

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD622

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(sus)High DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE (sat) CComplement to Type 2SB638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: PBSS4540X | 2SD667A-D | PBRN123YS | DDTB142JU | 2SC496R | 2SD667L-D | 2SC4924

 

 
Back to Top

 


 
.