Справочник транзисторов. 2SD629H

 

Биполярный транзистор 2SD629H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD629H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD629H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD629H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:71K  sanyo
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD629H

 9.2. Size:113K  sanyo
 2sd621.pdf pdf_icon

2SD629H

 9.3. Size:202K  inchange semiconductor
 2sd627.pdf pdf_icon

2SD629H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD627DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1500 VCBOV Coll

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd628.pdf pdf_icon

2SD629H

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD628DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)CEO(sus)High DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 5AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.)@ I = 5ACE (sat) CComplement to Type 2SB638Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD622 , 2SD624 , 2SD625 , 2SD626 , 2SD627 , 2SD628 , 2SD628H , 2SD629 , TIP3055 , 2SD63 , 2SD630 , 2SD631 , 2SD632 , 2SD633 , 2SD634 , 2SD635 , 2SD636 .

History: 2SB1017 | 2N5862 | KTA1862L | NKT3711 | BD912 | BCW36 | HBD241C

 

 
Back to Top

 


 
.