2SD637. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD637

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SC71

 Аналоги (замена) для 2SD637

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD637 даташит

 ..1. Size:315K  1
 2sd636 2sd637.pdf pdf_icon

2SD637

Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Mainten

 ..2. Size:51K  panasonic
 2sd637 e.pdf pdf_icon

2SD637

 ..3. Size:46K  panasonic
 2sd637.pdf pdf_icon

2SD637

 9.1. Size:44K  1
 2sd639.pdf pdf_icon

2SD637

Transistor 2SD638, 2SD639 Silicon NPN epitaxial planer type For medium-power general amplification Unit mm Complementary to 2SB643 and 2SB644 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 1.5 R0.9 1.0 Features R0.9 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. 0.85 Absolute

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD63, 2SD630, 2SD631, 2SD632, 2SD633, 2SD634, 2SD635, 2SD636, A1941, 2SD638, 2SD639, 2SD64, 2SD640, 2SD641, 2SD642, 2SD643, 2SD644