Биполярный транзистор 2SD644 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD644
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO3
2SD644 Datasheet (PDF)
2sd649.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD649 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Reliability APPLICATIONS Designed for line-operated horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCES Collector-Emitter V
2sd640.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD640DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V (Max.)@ I = 5ACE(sat) CExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applicatio
2sd641.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD641DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V (Max.)@ I = 10ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applications.High power amplifier applications.ABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
