Справочник транзисторов. 2SD650H

 

Биполярный транзистор 2SD650H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD650H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD650H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD650H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:196K  inchange semiconductor
2sd650.pdfpdf_icon

2SD650H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD650DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 400V(Min)CEO(SUS)High Power DissipationLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated switchmode applications such as:Switching regu

 9.1. Size:29K  hitachi
2sd655.pdfpdf_icon

2SD650H

2SD655Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier, MutingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SD655Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 15 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 0.7 ACollector peak current iC(peak) 1.0 A

 9.2. Size:589K  blue-rocket-elect
2sd655.pdfpdf_icon

2SD650H

2SD655(BR3DG655K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Low frequency. / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / Pinning 1 2 3 PIN1Base PIN 2

 9.3. Size:199K  inchange semiconductor
2sd651.pdfpdf_icon

2SD650H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD651DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 400V(Min)CEO(SUS)High Power DissipationLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.

Другие транзисторы... 2SD646A , 2SD647 , 2SD647A , 2SD648 , 2SD648A , 2SD649 , 2SD65 , 2SD650 , 2SC1815 , 2SD651 , 2SD652 , 2SD654 , 2SD655 , 2SD656 , 2SD657 , 2SD658 , 2SD658H .

History: 2SD1327 | 2N5844 | 2N5816 | 2N1643 | BD153 | RN4602 | 2SD2129

 

 
Back to Top

 


 
.