2SD689. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD689

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD689

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD689 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd689.pdf pdf_icon

2SD689

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD689 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min) CEO(SUS) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 1A CE(sat) C Complement to Type 2SB679 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION

 9.1. Size:116K  toshiba
 2sd687.pdf pdf_icon

2SD689

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:78K  toshiba
 2sd688.pdf pdf_icon

2SD689

 9.3. Size:206K  inchange semiconductor
 2sd683.pdf pdf_icon

2SD689

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD683 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 500(Min.)@ I = 5A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High voltage and high power switching applications. Motor driver applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD683, 2SD683A, 2SD684, 2SD684A, 2SD685, 2SD686, 2SD687, 2SD688, C5198, 2SD69, 2SD690, 2SD691, 2SD692, 2SD693, 2SD694, 2SD695, 2SD696