Биполярный транзистор 2SD694 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD694
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO3
2SD694 Datasheet (PDF)
2sd692.pdf
isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD692DESCRIPTIONBuilt-in Base-Emitter Shunt ResistorsHigh DC current gain-h = 1000 (Min) @ I =1 AdcFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = 80V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier a
2sd693.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD693DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 450V(Min)CEO(SUS)High Power DissipationLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for line operated switchmode applications such as:Switching regu
2sd690.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD690DESCRIPTIONCollector Current: I = 7ACCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = 70V(Min.)(BR)CEO100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal deflection applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP122 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
