2SD717Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD717Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для 2SD717Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD717Y даташит

 ..1. Size:196K  cn sptech
 2sd717o 2sd717y.pdf pdf_icon

2SD717Y

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD717 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.4V (Max)@I = 6.0A CE(sat) C High Collector Power Dissipation P = 80W @T =25 C C APPLICATIONS High power switching applications DC-DC converter and DC-AC inverter application

 8.1. Size:88K  wingshing
 2sd717.pdf pdf_icon

2SD717Y

Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SD717 GENERAL DESCRIPTION Silicon NPN high frequency, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose TO-3P(I)D QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value V = 0V BE V - 70 V CBO Collector-emitter voltage (open base) V - 70 V CEO Collector

 8.2. Size:218K  inchange semiconductor
 2sd717.pdf pdf_icon

2SD717Y

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD717 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.4V (Max)@I = 6.0A CE(sat) C High Collector Power Dissipation P = 80W @T =25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power switching applicat

 9.1. Size:106K  utc
 2sd718.pdf pdf_icon

2SD717Y

UTC 2SD718 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION FEATURES *Recommended for 45 50W Audio Frequency *Amplifier Output Stage. *Complementary to 2SB688. 1 TO-3P 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO 120 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD712A, 2SD713, 2SD715, 2SD716, 2SD716O, 2SD716R, 2SD717, 2SD717O, BC558, 2SD718, 2SD718O, 2SD718R, 2SD72, 2SD720, 2SD721, 2SD722, 2SD723