2SD727. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD727

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD727

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD727 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
2sd727.pdfpdf_icon

2SD727

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD727 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB691 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier and power switching

 9.1. Size:38K  no
2sd721.pdfpdf_icon

2SD727

 9.2. Size:25K  no
2sd72.pdfpdf_icon

2SD727

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
2sd725.pdfpdf_icon

2SD727

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD725 DESCRIPTION With TO-3 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for color TV horizontal deflection driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1500 V CBO

Другие транзисторы: 2SD72, 2SD720, 2SD721, 2SD722, 2SD723, 2SD724, 2SD725, 2SD726, A1013, 2SD728, 2SD729, 2SD729H, 2SD72K, 2SD73, 2SD730, 2SD73-0, 2SD731