2N2414. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N2414
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO77
Аналоги (замена) для 2N2414
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N2414 даташит
2n2411 2n2412.pdf
DATA SHEET 2N2411 2N2412 PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2411, 2N2412 types are PNP Saturated Switching Transistors designed for high speed switching applications. MAXIMUM RATINGS SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 25 V Collector-Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current IC 100 mA
2n2412x.pdf
2N2412X Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 20V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
2n2411x.pdf
2N2411X Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 20V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
Другие транзисторы: 2N2405L, 2N2405S, 2N241, 2N2410, 2N2410-51, 2N2411, 2N2412, 2N2413, BD333, 2N2415, 2N2416, 2N241A, 2N242, 2N2423, 2N2424, 2N2425, 2N2426
History: RCA8350A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110





