Справочник транзисторов. 2SD759

 

Биполярный транзистор 2SD759 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD759
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD759

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD759 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:128K  panasonic
 2sb713 2sd751.pdf pdf_icon

2SD759

 9.2. Size:67K  hitachi
 2sd757 2sd758.pdf pdf_icon

2SD759

 9.3. Size:31K  hitachi
 2sd755 2sd756.pdf pdf_icon

2SD759

2SD755, 2SD756, 2SD756ASilicon NPN EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SB715, 2SB716 and 2SB716AOutlineTO-92MOD1. Emitter2. Collector3. Base3212SD755, 2SD756, 2SD756AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SD755 2SD756 2SD756A UnitCollector to base voltage VCBO 100 120 140 VCollector to emitter vol

 9.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd750.pdf pdf_icon

2SD759

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD750DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V (Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD752 , 2SD753 , 2SD754 , 2SD755 , 2SD756 , 2SD756A , 2SD757 , 2SD758 , TIP41 , 2SD75A , 2SD75AH , 2SD75H , 2SD760 , 2SD761 , 2SD762 , 2SD762A , 2SD763 .

 

 
Back to Top

 


 
.