2SD764 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD764  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD764

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD764 даташит

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
 2sd764.pdf pdf_icon

2SD764

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD764 DESCRIPTION With TO-3 Package High Voltage Capability Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high voltage power switching TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 9.1. Size:36K  hitachi
 2sd768.pdf pdf_icon

2SD764

2SD768(K) Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 3 k 200 2 3 (Typ) (Typ) 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V Collector to emitter voltage VCEO 120 V Emitter to base voltage VEBO

 9.2. Size:22K  no
 2sd761.pdf pdf_icon

2SD764

 9.3. Size:39K  no
 2sd762.pdf pdf_icon

2SD764

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD75A, 2SD75AH, 2SD75H, 2SD760, 2SD761, 2SD762, 2SD762A, 2SD763, A1015, 2SD765, 2SD766, 2SD767, 2SD768, 2SD768K, 2SD769, 2SD77, 2SD770