2SD767 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD767  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD767

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD767 даташит

 9.1. Size:36K  hitachi
 2sd768.pdf pdf_icon

2SD767

2SD768(K) Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 3 k 200 2 3 (Typ) (Typ) 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V Collector to emitter voltage VCEO 120 V Emitter to base voltage VEBO

 9.2. Size:22K  no
 2sd761.pdf pdf_icon

2SD767

 9.3. Size:39K  no
 2sd762.pdf pdf_icon

2SD767

 9.4. Size:90K  inchange semiconductor
 2sd762 2sd762a.pdf pdf_icon

2SD767

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD762 2SD762A DESCRIPTION With TO-220C package Wide area of safe operation APPLICATIONS For audio freuqency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings(Tc=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VAL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD760, 2SD761, 2SD762, 2SD762A, 2SD763, 2SD764, 2SD765, 2SD766, TIP3055, 2SD768, 2SD768K, 2SD769, 2SD77, 2SD770, 2SD771, 2SD772, 2SD772A