2SD768 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD768  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD768

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD768 даташит

 ..1. Size:36K  hitachi
 2sd768.pdf pdf_icon

2SD768

2SD768(K) Silicon NPN Epitaxial Application Medium speed and power switching complementary pair with 2SB727(K) Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 3 k 200 2 3 (Typ) (Typ) 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 120 V Collector to emitter voltage VCEO 120 V Emitter to base voltage VEBO

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 2sd768.pdf pdf_icon

2SD768

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD768 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = 3A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 3A CE(sat) C Complement to Type 2SB727 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable

 9.1. Size:22K  no
 2sd761.pdf pdf_icon

2SD768

 9.2. Size:39K  no
 2sd762.pdf pdf_icon

2SD768

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD761, 2SD762, 2SD762A, 2SD763, 2SD764, 2SD765, 2SD766, 2SD767, D882, 2SD768K, 2SD769, 2SD77, 2SD770, 2SD771, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B