2SD772B - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SD772B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SD772B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 14
   Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SD772B

2SD772B Datasheet (PDF)

..1. Size:81K inchange semiconductor
2sd772 2sd772a 2sd772b.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD772 2SD772A 2SD772B DESCRIPTION With TO-220C package High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER COND

8.1. Size:208K inchange semiconductor
2sd772.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min.)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.6V(Max.) @I = 5ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

9.1. Size:231K toshiba
2sd777.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

9.2. Size:161K nec
2sd774.pdf