2SD773 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SD773
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: TO92MOD
2SD773 Datasheet (PDF)
2sd777.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
2sd772.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD772 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min.) CEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.6V(Max.) @I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2SD768K , 2SD769 , 2SD77 , 2SD770 , 2SD771 , 2SD772 , 2SD772A , 2SD772B , 13003 , 2SD774 , 2SD776 , 2SD777 , 2SD778 , 2SD779 , 2SD77A , 2SD77AH , 2SD77H .
History: 2SD77 | KT684B
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b




