2SD781 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD781 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD781 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD781

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD781 даташит

..1. Size:313K hitachi
2sd781.pdf pdf_icon

9.1. Size:125K 1
2sd780 2sd780a.pdf pdf_icon

RoHS 2SD780/2SD780A SOT-23-3L 2SD780/2SD780A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 80 0. 05 1. 60 0. 05 Collector current ICM 0.3 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V 2SD780 V(BR)CBO 80 V 2SD780A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 E

9.2. Size:179K nec
2sd780 2sd780a.pdf pdf_icon