2SD783 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD783  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD783

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD783 даташит

 ..1. Size:179K  inchange semiconductor
2sd783.pdfpdf_icon

2SD783

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD783 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.1. Size:125K  1
2sd780 2sd780a.pdfpdf_icon

2SD783

RoHS 2SD780/2SD780A SOT-23-3L 2SD780/2SD780A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 80 0. 05 1. 60 0. 05 Collector current ICM 0.3 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V 2SD780 V(BR)CBO 80 V 2SD780A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 E

 9.2. Size:179K  nec
2sd780 2sd780a.pdfpdf_icon

2SD783

 9.3. Size:105K  rohm
2sd786.pdfpdf_icon

2SD783

Другие транзисторы: 2SD780DW3, 2SD780DW4, 2SD780DW5, 2SD780V4, 2SD780V5, 2SD780V6, 2SD781, 2SD782, 2SD313, 2SD784, 2SD785, 2SD786, 2SD787, 2SD788, 2SD789, 2SD78A, 2SD79