2SD783 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD783 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SD783
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD783 даташит
2sd783.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD783 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
2sd780 2sd780a.pdf
RoHS 2SD780/2SD780A SOT-23-3L 2SD780/2SD780A TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 80 0. 05 1. 60 0. 05 Collector current ICM 0.3 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V 2SD780 V(BR)CBO 80 V 2SD780A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 E
Другие транзисторы: 2SD780DW3, 2SD780DW4, 2SD780DW5, 2SD780V4, 2SD780V5, 2SD780V6, 2SD781, 2SD782, 2SD313, 2SD784, 2SD785, 2SD786, 2SD787, 2SD788, 2SD789, 2SD78A, 2SD79
History: KC846BW
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968










