2SD814A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD814A 📄📄
Маркировка: LQ_LR_LS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 185 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65
Корпус транзистора: TO236
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SD814A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD814A даташит
2sd814a.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD814A SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV.. Complimentary to 2SB792A 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Volta
2sd814 e.pdf
Transistor 2SD814, 2SD814A Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-frequency and low-noise Unit mm amplification +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 1 automatic insertion through the tape packing and th
2sd814.pdf
Transistor 2SD814, 2SD814A Silicon NPN epitaxial planer type For high breakdown voltage low-frequency and low-noise Unit mm amplification +0.2 Features 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 1 automatic insertion through the tape packing and th
2sd814.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD814 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High collector to emitter voltage VCEO. Low noise voltage NV.. Complimentary to 2SB792 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage
Другие транзисторы: 2SD808, 2SD809, 2SD81, 2SD810, 2SD811, 2SD812, 2SD813, 2SD814, A42, 2SD815, 2SD816, 2SD817, 2SD818, 2SD819, 2SD82, 2SD820, 2SD821
History: 2SC1926 | MP5127 | 2SD96
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement




