Биполярный транзистор 2SD825A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD825A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: MT-200
2SD825A Datasheet (PDF)
2sd823.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res
2sd826.pdf

Ordering number:EN538ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD82620V/5A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low saturation voltage.unit:mm High hFE.2009A Large current capacity.[2SD826]8.02.74.03.01.60.80.80.60.51 : Emitter1 2 3 2 : Collector3 : Base2.4SANYO : TO-1264.8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 2
2sd820.pdf

2SD820 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTORGENERAL DESCRIPTIONHighvoltage,high-speed switching npn transistors in a metal envelope , primarily for use in switching power circuites of colour television receiversTO-3QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM - 1500 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO - 6
2sd823.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD823DESCRIPTIONCollector Current: I = 6ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 90V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2SA118 | 2N5195 | 2SA1210S | 2SC5071
History: 2SA118 | 2N5195 | 2SA1210S | 2SC5071



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435