Справочник транзисторов. 2SD825A

 

Биполярный транзистор 2SD825A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD825A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: MT-200
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD825A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:646K  sanyo
2sd823.pdfpdf_icon

2SD825A

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Res

 9.2. Size:132K  sanyo
2sd826.pdfpdf_icon

2SD825A

Ordering number:EN538ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD82620V/5A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low saturation voltage.unit:mm High hFE.2009A Large current capacity.[2SD826]8.02.74.03.01.60.80.80.60.51 : Emitter1 2 3 2 : Collector3 : Base2.4SANYO : TO-1264.8SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 2

 9.3. Size:192K  wingshing
2sd820.pdfpdf_icon

2SD825A

2SD820 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTORGENERAL DESCRIPTIONHighvoltage,high-speed switching npn transistors in a metal envelope , primarily for use in switching power circuites of colour television receiversTO-3QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNITCollector-emitter voltage peak value VBE = 0VVCESM - 1500 VCollector-emitter voltage (open base)VCEO - 6

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
2sd823.pdfpdf_icon

2SD825A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD823DESCRIPTIONCollector Current: I = 6ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 90V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA118 | 2N5195 | 2SA1210S | 2SC5071

 

 
Back to Top

 


 
.