2SD836 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD836 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD836 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6000

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD836

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD836 даташит

..1. Size:195K inchange semiconductor
2sd836.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD836 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 2A FE C High Switching Speed Complement to Type 2SB750 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS AF power amplifiers General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

9.1. Size:96K fuji
2sd833.pdf pdf_icon