2SD836A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD836A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD836A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD836A даташит

 8.1. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd836.pdf pdf_icon

2SD836A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD836 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 2A FE C High Switching Speed Complement to Type 2SB750 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS AF power amplifiers General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 9.1. Size:96K  fuji
 2sd833.pdf pdf_icon

2SD836A

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:101K  fuji
 2sd835.pdf pdf_icon

2SD836A

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:125K  fuji
 2sd834.pdf pdf_icon

2SD836A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD83, 2SD830, 2SD831, 2SD832, 2SD833, 2SD834, 2SD835, 2SD836, 13009, 2SD836B, 2SD837, 2SD837A, 2SD837B, 2SD838, 2SD839, 2SD84, 2SD840