2SD837A datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD837A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD837A 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6000

Корпус транзистора: TO220

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD837A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD837A даташит

8.1. Size:211K inchange semiconductor
2sd837.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD837 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min.)@I = 3A FE C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt

9.1. Size:96K fuji
2sd833.pdf pdf_icon