2SD838 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD838  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD838

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD838 даташит

 ..1. Size:25K  no
 2sd838.pdf pdf_icon

2SD838

 9.1. Size:96K  fuji
 2sd833.pdf pdf_icon

2SD838

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:101K  fuji
 2sd835.pdf pdf_icon

2SD838

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:125K  fuji
 2sd834.pdf pdf_icon

2SD838

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD834, 2SD835, 2SD836, 2SD836A, 2SD836B, 2SD837, 2SD837A, 2SD837B, 2SD718, 2SD839, 2SD84, 2SD840, 2SD841, 2SD842, 2SD843, 2SD843O, 2SD843Y