Биполярный транзистор 2SD839
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD839
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора:
TO220
Аналог (замена) для 2SD839
-
подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD839
Datasheet (PDF)
9.1. Size:96K fuji
2sd833.pdf 

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
9.2. Size:101K fuji
2sd835.pdf 

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
9.5. Size:213K inchange semiconductor
2sd833.pdf 

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD833DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 4000(Min) @I = 3AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersRelay& solenoid driversMotor controlsGeneral purpose power ampli
9.6. Size:213K inchange semiconductor
2sd835.pdf 

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD835DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 400(Min) @I = 4AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @ I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitorRelay& solenoid driversMotor controlsSwitching regulatorsABSOLUTE M
9.7. Size:195K inchange semiconductor
2sd836.pdf 

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD836DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 2AFE CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SB750Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAF power amplifiersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
9.8. Size:211K inchange semiconductor
2sd837.pdf 

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD837DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 3AFE CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio power amplifiersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
9.9. Size:214K inchange semiconductor
2sd834.pdf 

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD834DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 1500(Min) @ I = 2A, V = 2VFE C CELow Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 2ACE(sat) CWide Area of Safe OperationHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitorRelay& solenoid drivers
Другие транзисторы... 2SD835
, 2SD836
, 2SD836A
, 2SD836B
, 2SD837
, 2SD837A
, 2SD837B
, 2SD838
, S8050
, 2SD84
, 2SD840
, 2SD841
, 2SD842
, 2SD843
, 2SD843O
, 2SD843Y
, 2SD844
.
History: KT826V