2SD855A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD855A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD855A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD855A даташит

 8.1. Size:88K  panasonic
 2sd855.pdf pdf_icon

2SD855A

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd855.pdf pdf_icon

2SD855A

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD855 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB760 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

 9.1. Size:109K  panasonic
 2sd857.pdf pdf_icon

2SD855A

 9.2. Size:111K  panasonic
 2sd856.pdf pdf_icon

2SD855A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD848, 2SD848A, 2SD849, 2SD850, 2SD851, 2SD852, 2SD854, 2SD855, 2SD2499, 2SD855B, 2SD856, 2SD856A, 2SD856B, 2SD857, 2SD857A, 2SD857B, 2SD858