2SD900 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD900  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD900

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD900 даташит

 ..1. Size:30K  no
2sd900.pdfpdf_icon

2SD900

 ..2. Size:181K  inchange semiconductor
2sd900.pdfpdf_icon

2SD900

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD900 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV deflection

 9.1. Size:45K  sanyo
2sd904.pdfpdf_icon

2SD900

 9.2. Size:27K  no
2sd905.pdfpdf_icon

2SD900

Другие транзисторы: 2SD897, 2SD897A, 2SD898, 2SD898A, 2SD898B, 2SD899, 2SD899A, 2SD90, A733, 2SD900A, 2SD900B, 2SD901, 2SD902, 2SD903, 2SD904, 2SD905, 2SD906