2SD903 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD903  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD903

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD903 даташит

 9.1. Size:45K  sanyo
2sd904.pdfpdf_icon

2SD903

 9.2. Size:30K  no
2sd900.pdfpdf_icon

2SD903

 9.3. Size:27K  no
2sd905.pdfpdf_icon

2SD903

 9.4. Size:181K  inchange semiconductor
2sd900.pdfpdf_icon

2SD903

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD900 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV deflection

Другие транзисторы: 2SD899, 2SD899A, 2SD90, 2SD900, 2SD900A, 2SD900B, 2SD901, 2SD902, BD335, 2SD904, 2SD905, 2SD906, 2SD907, 2SD908, 2SD909, 2SD91, 2SD910