2SD908 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD908 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: TO247
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SD908
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD908 даташит
2sd900.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD900 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Low Collector Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in color TV deflection
Другие транзисторы: 2SD900B, 2SD901, 2SD902, 2SD903, 2SD904, 2SD905, 2SD906, 2SD907, TIP35C, 2SD909, 2SD91, 2SD910, 2SD911, 2SD912, 2SD913, 2SD914, 2SD915
History: 2SD851 | 2SD854 | 2SC4811 | 2SC4810 | 2SD852 | 2SC4809
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet



