2SD914 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD914  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD914

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD914 даташит

 9.1. Size:91K  panasonic
 2sd917.pdf pdf_icon

2SD914

 9.2. Size:94K  fuji
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD914

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD914

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916 DESCRIPTION High DC Current Gain Low Saturation Voltage High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay& solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 9.4. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd911.pdf pdf_icon

2SD914

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD911 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Current Capability Good Linearity of h FE High Reliability Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio amplifier Series regulators Genera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD907, 2SD908, 2SD909, 2SD91, 2SD910, 2SD911, 2SD912, 2SD913, 2SD2499, 2SD915, 2SD916, 2SD917, 2SD918, 2SD919, 2SD92, 2SD920, 2SD921