Биполярный транзистор 2SD928 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD928
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220
2SD928 Datasheet (PDF)
2sd928.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD928DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max) @I = 3.0ACE(sat) C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio frequency power a
2sd929.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD929DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOHigh ReliabilityGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLIC
2sd920.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD920DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for series regulators ,
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
