2SD928 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD928  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD928

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD928 даташит

 ..1. Size:186K  inchange semiconductor
2sd928.pdfpdf_icon

2SD928

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD928 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 3.0A CE(sat) C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio frequency power a

 9.1. Size:43K  fuji
2sd929.pdfpdf_icon

2SD928

 9.2. Size:117K  fuji
2sd923.pdfpdf_icon

2SD928

 9.3. Size:115K  fuji
2sd921.pdfpdf_icon

2SD928

Другие транзисторы: 2SD919, 2SD92, 2SD920, 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SD926, 2SD927, 13005, 2SD929, 2SD93, 2SD930, 2SD931, 2SD932, 2SD933, 2SD934, 2SD935