Биполярный транзистор 2SD936 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD936
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SPECIAL
2SD936 Datasheet (PDF)
2sd935.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD935DESCRIPTIONWith TO-3 PackageLow collector saturation voltageGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for color TV horizontal deflection driver and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
2sd930.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD930DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 700(Min.)@ I = 1A, V = 4VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOHigh ReliabilityGood Linearity of hFEWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLIC
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050