Справочник транзисторов. 2SD968A

 

Биполярный транзистор 2SD968A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD968A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD968A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  kexin
2sd968a.pdfpdf_icon

2SD968A

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD968ASOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=500mA Collector Emitter Voltage VCEO=120V Complementary to 2SB789A0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 120 Collector - Emitter Voltage VCE

 8.1. Size:38K  panasonic
2sd968.pdfpdf_icon

2SD968A

Transistor2SD968, 2SD968ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SB789 and 2SB789A1.5 0.14.5 0.11.6 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Large collector power dissipation PC.45Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and t

 8.2. Size:42K  panasonic
2sd968 e.pdfpdf_icon

2SD968A

Transistor2SD968, 2SD968ASilicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SB789 and 2SB789A1.5 0.14.5 0.11.6 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Large collector power dissipation PC.45Mini Power type package, allowing downsizing of the equipmentand automatic insertion through the tape packing and t

 8.3. Size:874K  kexin
2sd968.pdfpdf_icon

2SD968A

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD968SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=500mA Collector Emitter Voltage VCEO=100V Complementary to 2SB7890.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 100 Collector - Emitter Voltage VCEO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N6208 | DMC30401 | TI607A

 

 
Back to Top

 


 
.