2SD993 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD993 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD993 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD993

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD993 даташит

..1. Size:46K sanyo
2sd993.pdf pdf_icon

..2. Size:205K inchange semiconductor
2sd993.pdf pdf_icon

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD993 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 10V(Max.)@ I = 2.5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

9.1. Size:48K sanyo
2sd995.pdf pdf_icon