2SD999CL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD999CL  📄📄 

Маркировка: CL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD999CL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD999CL даташит

 8.1. Size:222K  nec
 2sd999.pdf pdf_icon

2SD999CL

 8.2. Size:31K  no
 2sd999.pdf pdf_icon

2SD999CL

 8.3. Size:337K  htsemi
 2sd999.pdf pdf_icon

2SD999CL

2SD999 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1. BASE Mini Power Type Package 2. COLLECTOR Excellent DC Current Gain Linearity 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collec

 8.4. Size:1169K  kexin
 2sd999.pdf pdf_icon

2SD999CL

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD999 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=1A Collector Emitter Voltage VCEO=25V 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collector - Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter - Base Voltage VEBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD992, 2SD993, 2SD994, 2SD995, 2SD997, 2SD998, 2SD999, 2SD999CK, BC558, 2SD999CM, 2T2905, 2T3108, 2T3109, 2T3109C, 2T3167A, 2T3167B, 2T3167C