2T3169B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2T3169B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2T3169B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2T3169B даташит

 9.1. Size:847K  russia
kt316a-b-v-g-d 2t316a-b-v-g-d.pdfpdf_icon

2T3169B

Другие транзисторы: 2T3109, 2T3109C, 2T3167A, 2T3167B, 2T3167C, 2T3168A, 2T3168B, 2T3168C, A1013, 2T3169C, 2T3307A, 2T3307V, 2T3308A, 2T3308C, 2T3308B, 2T3309A, 2T3309B