3N75 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 3N75 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 3N75
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO72

Аналоги (замена) для 3N75

3N75 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K inchange semiconductor
3n75.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 3N75FEATURESDrain Current I =3.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 750V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.0(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching power supplies,converters,AC and DC motor controlsABSOLUTE M

0.1. Size:180K motorola
mtp3n75 mtp3n80 mtm3n75 mtm3n80.pdf