40317L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 40317L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для 40317L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
40317L даташит
sk840317.pdf
Doc No. TT4-EA-14209 Revision. 5 Product Standards MOS FET SK8403170L SK8403170L Silicon N-channel MOS FET Unit mm 3.25 For Load-switching / For DC-DC Converter 3.05 0.22 8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 3.9 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 4 0.3 1.0
Другие транзисторы: 40314V2, 40315, 40315L, 40315S, 40315V1, 40315V2, 40316, 40317, BD140, 40317S, 40317V1, 40317V2, 40318, 40319, 40319L, 40319S, 40319V1
History: 40427
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408

