2N2481. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2481

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N2481

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2481 даташит

 9.1. Size:369K  rca
 2n2482.pdf pdf_icon

2N2481

 9.2. Size:49K  philips
 2n2484.pdf pdf_icon

2N2481

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2484 NPN general purpose transistor 1997 May 01 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistor 2N2484 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter 2 base

 9.3. Size:73K  central
 2n2484 pn2484.pdf pdf_icon

2N2481

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.4. Size:221K  cdil
 2n2484.pdf pdf_icon

2N2481

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484 TO-18 This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter -Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2475-46, 2N2476, 2N2477, 2N2478, 2N2479, 2N248, 2N2480, 2N2480A, 13005, 2N2482, 2N2483, 2N2484, 2N2484A, 2N2484ACSM, 2N2484ADCSM, 2N2484CSM, 2N2484DCSM