Биполярный транзистор 40636 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 40636
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 95 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам