50DB040D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 50DB040D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Корпус транзистора: X240
Аналоги (замена) для 50DB040D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
50DB040D даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 45193, 45194, 45195, 4NU72, 4NU73, 4NU74, 504BSY, 50DA045D, BC556, 50DB045D, 5253OA, 556BCYA, 556BCYB, 557BCYA, 557BCYB, 5609, 5610
History: 2SD123
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor
