Биполярный транзистор 636BCC Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 636BCC
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам