Биполярный транзистор 9016 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 9016
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.315 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
Корпус транзистора: TO92
9016 Datasheet (PDF)
2sc3880s 2sc3195 2sc3194 ktc9016 ktc9018 bf599 2sc3879s 2sc3193 2sc3192 ktc9011 2sc3878s 2sc3191 2sc3190.pdf
s9016lt1.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9016LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM: 200 mW (Tamb=25) 2. 41. 3 Collector current ICM: 0.025 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Unit: mm TJ, Tstg
ktc9016.pdf
SEMICONDUCTOR KTC9016TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.HF, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.B CFEATURESSmall Reverse Transfer Capacitance: Cre=0.65pF(Typ.).N DIM MILLIMETERSLow Noise Figure :NF=2.2dB(Typ.) at f=100MHz.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25
ktc9016s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC9016STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.HF, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSSmall Reverse Transfer Capacitance_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15: Cre=0.65pF(Typ.).C 1.30 MAX2Low Noise Figure :NF=2.2dB(Typ.) at f=100MHz. 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1
9016m.pdf
9016M(3DG9016M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : AM FM /Purpose: AM converter, FM low noise high frequency amplifier. :P /Features: High P . C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 4.0 V EBO I 25 mA C I 5
s9016.pdf
BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9016 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 25mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, FM/RM amplifier of low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9016 Y6 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbo
sebt9012 sebt9013 sebt9014 sebt9015 sebt9016 sebt9018.pdf
Jul 2015 SEBT9012,9013,9014,9015,9016,9018 PNP Plastic-Encapsulate Transistors (9012, 9015) Revision: A NPN Plastic-Encapsulate Transistors (9013, 9014,9016, 9018) Feature AM/FM Amplifier, local oscillator of FM/VHF tuner High current gain bandwidth product Applications Inverter, Interface, Driver 9012 is complementary to 9013 9014 is complementary to 9015
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050