Справочник транзисторов. A178

 

Биполярный транзистор A178 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: A178
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для A178

 

 

A178 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:186K  sanyo
2sa1783.pdf

A178
A178

 0.2. Size:121K  sanyo
2sa1785.pdf

A178
A178

 0.3. Size:121K  sanyo
2sa1786.pdf

A178
A178

 0.4. Size:121K  sanyo
2sa1787.pdf

A178
A178

 0.5. Size:102K  sanyo
2sa1784.pdf

A178
A178

 0.6. Size:161K  jmnic
2sa1788.pdf

A178
A178

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1788 DESCRIPTION With TO-247 package Complement to type 2SC4652 APPLICATIONS For audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base voltage Open emitt

 0.7. Size:161K  jmnic
2sa1789.pdf

A178
A178

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1789 DESCRIPTION With TO-247 package Complement to type 2SC4653 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITV

 0.8. Size:198K  inchange semiconductor
2sa1788.pdf

A178
A178

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1788DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt

 0.9. Size:198K  inchange semiconductor
2sa1789.pdf

A178
A178

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1789DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA933S | CHDTD123YKGP

 

 
Back to Top