2N2551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2551

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.22 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N2551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2551 даташит

 9.1. Size:151K  semtech
 2n25550 2n25551.pdf pdf_icon

2N2551

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Другие транзисторы: 2N2536, 2N2537, 2N2538, 2N2539, 2N254, 2N2540, 2N2541, 2N255, 2SC2073, 2N2552, 2N2553, 2N2554, 2N2555, 2N2556, 2N2557, 2N2558, 2N2559