Биполярный транзистор 2N2553 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N2553
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.22 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: MT27
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N2553 Datasheet (PDF)
2n25550 2n25551.pdf

2N5550 / 2N5551 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose, high voltage amplifier applications. As complementary types the PNP transistors 2N5400 and 2N5401 are recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)
Другие транзисторы... 2N2538 , 2N2539 , 2N254 , 2N2540 , 2N2541 , 2N255 , 2N2551 , 2N2552 , TIP31C , 2N2554 , 2N2555 , 2N2556 , 2N2557 , 2N2558 , 2N2559 , 2N255A , 2N256 .
History: 2SA1566 | 2N2605CSM | GFT31-15 | 2N2222AE | NJM13003-1.63 | HMJE13005 | 2PB709AW
History: 2SA1566 | 2N2605CSM | GFT31-15 | 2N2222AE | NJM13003-1.63 | HMJE13005 | 2PB709AW



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor